短短一周之內(nèi)，DDR5高性能存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨價(jià)格飆升了25%。三星、SK海力士等原廠甚至一度暫停報(bào)價(jià)，這直接引發(fā)了市場(chǎng)恐慌性采購(gòu)。摩根士丹利最新的研報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2025年第四季度的服務(wù)器DRAM（內(nèi)存）報(bào)價(jià)已飆升近70%，NAND（閃存）合約價(jià)也上漲20-30%。

“內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多。”

雷軍也在微博上回應(yīng)Redmi K90定價(jià)太高，最主要是由上游存儲(chǔ)成本太高導(dǎo)致。Redmi K90系列因存儲(chǔ)成本飆升全系漲價(jià)100-400元，不同存儲(chǔ)版本價(jià)差從400元拉大至600元。小米集團(tuán)總裁盧偉冰則表示，上游成本壓力已真實(shí)傳導(dǎo)至新品定價(jià)，存儲(chǔ)成本上漲也遠(yuǎn)高于預(yù)期，且會(huì)持續(xù)加劇。

摩根士丹利也發(fā)出明確信號(hào)：由AI驅(qū)動(dòng)的內(nèi)存超級(jí)周期不僅真實(shí)存在，而且其強(qiáng)度和持久性可能遠(yuǎn)超市場(chǎng)想象。同時(shí)，SK海力士、三星等將憑借強(qiáng)大的定價(jià)權(quán)，迎來利潤(rùn)率擴(kuò)張和盈利的飆升。相反，下游的PC、手機(jī)和消費(fèi)電子供應(yīng)鏈將面臨劇烈的成本壓力和利潤(rùn)擠壓。

漲價(jià)源頭，科技公司的“算力軍備競(jìng)賽”

“我們正在見證一個(gè)前所未見的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)。”

摩根士丹利在研報(bào)中表示，與以往由PC和智能手機(jī)驅(qū)動(dòng)的周期不同，本輪內(nèi)存需求的核心是一場(chǎng)圍繞AI數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)商展開的“軍備競(jìng)賽”。這些客戶對(duì)價(jià)格的敏感度遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)消費(fèi)者，他們更關(guān)心能否獲得足夠的算力基礎(chǔ)設(shè)施來支持其大語(yǔ)言模型（LLM）和AI應(yīng)用的開發(fā)。

事實(shí)也是如此。一系列的數(shù)據(jù)顯示，硅谷的科技巨頭正在將大量資金押注在AI算力上，同時(shí)盡可能裁掉冗余的員工，以降低不必要的資本開支。

一家私營(yíng)咨詢集團(tuán)公布，10月份美國(guó)企業(yè)宣布的裁員人數(shù)激增，今年已裁員超過100萬(wàn)人。與此同時(shí)，包括Meta、谷歌、OpenAI、微軟等在內(nèi)的科技巨頭，正在大幅提高AI領(lǐng)域的資本開支。

Meta計(jì)劃在2025年底之前部署高達(dá)130萬(wàn)塊GPU，這一舉措將為AI模型的訓(xùn)練和推理提供算力支持，進(jìn)一步推動(dòng)人工智能技術(shù)的發(fā)展。而到2028年，Meta將在美國(guó)數(shù)據(jù)中心和基礎(chǔ)設(shè)施上花費(fèi)至少6000億美元。

此外，微軟2026財(cái)年第一季度(截至9月30日)資本支出達(dá)349億美元，預(yù)計(jì)全年資本支出將大幅增長(zhǎng)，計(jì)劃兩年內(nèi)將數(shù)據(jù)中心規(guī)模擴(kuò)大一倍；谷歌2025年資本支出預(yù)期上調(diào)至910-930億美元，并暗示2026年將“大幅增加”；亞馬遜2025年已預(yù)留高達(dá)1000億-1250億美元的資本支出預(yù)算，主要用于AI項(xiàng)目和數(shù)據(jù)中心建設(shè)。

眾所周知，AI服務(wù)器是名副其實(shí)的“內(nèi)存吞噬者”。

與普通服務(wù)器相比，單臺(tái)AI服務(wù)器的DRAM內(nèi)存搭載量要高出3-5倍，而用于訓(xùn)練大模型的高帶寬內(nèi)存（HBM）需求更是飆升至“前所未有”的水平。同時(shí)，AI服務(wù)器也推動(dòng)大容量存儲(chǔ)需求，例如英偉達(dá)Blackwell平臺(tái)的AI服務(wù)器，其SSD配置正從64TB向96TB升級(jí)。

為了滿足利潤(rùn)豐厚的AI需求，三星、SK海力士、美光等主要存儲(chǔ)芯片廠商做出了明確的戰(zhàn)略調(diào)整：將資本支出和產(chǎn)能優(yōu)先分配給HBM、DDR5等高端產(chǎn)品。

這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移直接導(dǎo)致用于生產(chǎn)DDR4等傳統(tǒng)內(nèi)存的晶圓資源被大幅擠壓。尤其值得注意的是，HBM由于其復(fù)雜的堆疊結(jié)構(gòu)，在生產(chǎn)中會(huì)消耗大量產(chǎn)能。要達(dá)到與DDR5同等的芯片密度，HBM需要消耗三倍的晶圓。

這使得本已緊張的DRAM整體產(chǎn)能雪上加霜，甚至出現(xiàn)前代產(chǎn)品（DDR4）價(jià)格反超新一代產(chǎn)品（DDR5）一倍的“價(jià)格倒掛”現(xiàn)象。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，迎來最佳“替代周期”

當(dāng)存儲(chǔ)芯片巨頭的產(chǎn)能分配向企業(yè)級(jí)傾斜，導(dǎo)致的結(jié)果就是，PC和智能手機(jī)用的低功耗DRAM供應(yīng)緊張，其價(jià)格漲幅預(yù)期也被大幅上調(diào)。也因此，拓寬供應(yīng)渠道成為了終端廠商的必要選擇。

面對(duì)原廠提價(jià)和供應(yīng)緊張，小米、OPPO等品牌已啟動(dòng)“國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)替代計(jì)劃”，引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等國(guó)產(chǎn)芯片，這不僅能緩解供應(yīng)壓力，價(jià)格也更具競(jìng)爭(zhēng)力。

其中，長(zhǎng)鑫科技自主研發(fā)的LPDDR5X產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)部分量產(chǎn)并推向市場(chǎng)。據(jù)長(zhǎng)鑫科技官方披露，通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計(jì)，其LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達(dá)到10667Mbps，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先水平。

長(zhǎng)鑫的LPDDR5X產(chǎn)品提供12GB、16GB、24GB、32GB等不同封裝解決方案，其中8533Mbps和9600Mbps速率產(chǎn)品已于2025年5月量產(chǎn)，10667Mbps速率產(chǎn)品已啟動(dòng)客戶送樣。目前，長(zhǎng)鑫的產(chǎn)品已進(jìn)入小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機(jī)品牌的供應(yīng)鏈體系，并逐步拓展至物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器等高增長(zhǎng)賽道。

同時(shí)，在2025年9月的云棲大會(huì)上，德明利也展示了為阿里云“磐久服務(wù)器”定制的企業(yè)級(jí)SSD。這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商成功進(jìn)入頭部云廠商供應(yīng)鏈，為AI數(shù)據(jù)中心提供高性能、低延遲的存儲(chǔ)解決方案。

此外，國(guó)產(chǎn)替代也并非簡(jiǎn)單的“平替”，在特定領(lǐng)域還能帶來技術(shù)增益。例如，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研的Xtacking架構(gòu)提升了存儲(chǔ)密度；一些國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)方案在能耗控制上表現(xiàn)出色，有助于提升終端設(shè)備的續(xù)航。與本土供應(yīng)鏈的緊密合作也使定制化開發(fā)和快速響應(yīng)需求成為可能，加速產(chǎn)品迭代。

根據(jù)2025年的市場(chǎng)信息，在AI驅(qū)動(dòng)全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅上漲的背景下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片憑借本土化生產(chǎn)和政策支持，價(jià)格通常比同等級(jí)別的進(jìn)口產(chǎn)品低15%-20%。這意味著，若一部智能手機(jī)的存儲(chǔ)模塊成本為500元，采用國(guó)產(chǎn)芯片可能直接節(jié)省75-100元。

不過，需要注意的是，在高性能存儲(chǔ)介質(zhì)（如HBM）、高速接口技術(shù)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)等方面，國(guó)產(chǎn)廠商仍存在代際差距。比如，三星、SK海力士、美光等廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)HBM3E量產(chǎn)，HBM4也在研發(fā)過程中。

所以，對(duì)于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片而言，在通用服務(wù)器內(nèi)存和企業(yè)級(jí)SSD領(lǐng)域，憑借性價(jià)比和供應(yīng)鏈安全優(yōu)勢(shì)快速提升份額是更現(xiàn)實(shí)的突破口。中長(zhǎng)期看，只有在HBM等最核心技術(shù)上取得實(shí)質(zhì)性突破，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片才算真正實(shí)現(xiàn)了突圍。